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刻蚀的不同优点 硅时代

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 由于曝光束不同,刻蚀技术可以分为光刻蚀(简称光刻)、X射线刻蚀、电子束刻蚀和离子束刻蚀,其中离子束刻蚀具有分辨率高和感光速度快的优点,是正在开发中的新型技术。

刻蚀技术(etching technique),是在半导体工艺,按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺,而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
干法刻蚀方式很多,一般有:溅射与离子束铣蚀, 等离子刻蚀(Plasma Etching),高压等离子刻蚀,高密度等离子体(HDP)刻蚀,反应离子刻蚀(RIE)。另外,化学机械抛光CMP,剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀,这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护地区域。
刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。刻蚀的机制,按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个刻蚀,包含反应物接近、生成物离开的扩散效应,以及化学反应两部份。整个刻蚀的时间,等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长,整个刻蚀之快慢也卡在该者,故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类刻蚀之分。

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